Главная Контакты Добавить в избранное Авторы Вопросы и ответы
,

 УДК 681.586.5:681.327.11:621.38

КОМПЛЕКСНОЕ РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ

ПОЛУЧЕНИЯ ЧЕТКИХ ГРАНИЦ РАСПРЕДЕЛЕННЫХ ТЕМПЕРАТУРНЫХ ПОЛЕЙ ИССЛЕДУЕМЫХ ОБЪЕКТОВ

Пилипенко Н.В., Цивильский Ф.Н., Дощенко Г.Г., Бараненко Р.В., Граб М.В., Глухова В.И., Натарова Н.Г.

Существующие методы и устройства для анализа распределения температурных полей в радиационной пирометрии представляют важную область исследований и практического применения. Однако существуют проблемы в определении контрастных границ многослойных внутренних структур объекта, размеры слоев которых от 100 до 800 мкм [1].

Разрешающая способность болометрических методов измерения [2] ограничена физическими размерами чувствительных элементов матрицы. Сканирующая тепловизионная система, описанная в [3], позволяет сканирование только по одной из координатных осей и может быть использована для сканирования перемещающихся объектов.

Этих недостатков лишено оптическое устройство тепловизионной сканирующей системы с пространственным сканированием по двум координатам [4], содержащее апертурную диафрагму, вращающуюся призму с зеркальными гранями и приводом, колеблющееся зеркало с приводом, зеркальную оптическую систему, приемник излучения.

Аналогичные устройства описаны в [5] и в [6].

Серьезным недостатком рассматриваемых устройства является инерционность приемника излучения, порождающая размытость границ температурных полей и невозможность обнаружения слабых (имеющих малую массу с постоянно контрастной температурой относительно окружающей) источников теплового излучения. Суммарная ошибка состоит в поглощении слабых излучений самой оптической системой; усреднение границ близлежащих контрастных излучений, вызванное физическими размерами матрицы чувствительных элементов и др. Известно, что на границе оптического материала с воздухом возникают потери лучистой энергии на отражение, причем потери от первой поверхности 36%, двух — 58%, а четырех — более 80% [7].

В результате спектрального анализа различных материалов и системного подхода при проектировании тепловизионного сканирующего устройства удалось устранить вышеуказанные недостатки. Это привело к разработке более совершенного устройства с высокой разрешающей способностью, которое за счет определенных конструктивных особенностей, основанных на физических свойствах используемых материалов и компонентов, обеспечивает качественное отображение границ температурных полей исследуемых объектов.

Сущность новизны предлагаемого технического решения состоит в эффективном использовании оптической среды оптического устройства тепловизионной сканирующей системы и применении высокочувствительного безинерционного детектора излучения.

В вышеуказанных устройствах более 80% слабого инфракрасного излучения терялось на границе отражения воздух—оптический элемент. Предлагаемое устройство позволяет получить качественную тепловизионную систему для изучения температурных полей биологических объектов.

Была поставлена задача получить многопользовательскую компьютерную систему управления доступом и аутентификации с тепловизионными сканирующими системами с высокой разрешающей способностью, которые за счет определенных конструктивных особенностей, основанных на физических свойствах используемых материалов и компонентов, обеспечат качественное отображение границ температурных полей исследуемых объектов.

Конструктивно (см. рис. 1) устройство содержит вычислительный комплекс 1 [8], интерфейс обмена данными 2, микропроцессорная система обработки информации 3, внешнюю шину данных 4, к которой подсоединены оптические тепловизионные терминалы 5 (ОТТ1-ОТТN).

Рис. 1 Общая структура устройства

Микропроцессорная система обработки информации является линейной системой без обратной связи (для расширения функциональных возможностей допускается обратная связь). Ее построение можно выполнить на микроэлектронных компонентах с низким потреблением энергии и высоким быстродействием. Микропроцессорная система сбора информации 3 может быть построена с применением микроконтроллера PIC 16C667Bh, который содержит пятиканальный встроенный АЦП, два таймера, последовательный порты UART и SPI. Это позволяет создать пятиканальную систему динамического опроса оптических тепловизионных терминалов (ОТТ) 5 с потреблением не более 20 mA.

Рис. 2 Оптическое устройство тепловизионной сканирующей системы

Рис. 3 Молекулярное и энергетическое взаимодействие водного раствора KI

 

Структура тепловизионной сканирующей системы [9, 10] (рис.2) содержит третью иммерсию 1, спектральный фильтр 2, первую иммерсию 3, вращающуюся призму 4 с зеркальными гранями, колеблющийся эшелетт 5, зеркальную оптическую систему 6, вторую иммерсию 7, пироэлектрический кристалл 8, полупроводниковый шунт 9, экранирующая оболочка 10, объект 11.

На рис.3 представлена молекулярная и энергетическая модель разбавленного раствора KI [10].

Необходимость использования в качестве приемника излучения пироэлектрического кристалла была вызвана его свойствами [11].

Экранирующая оболочка 10 защищает пироэлектрический кристалл от постороннего энергетического воздействия. Теплоизоляция необходима во избежания вторичного пироэлектрического эффекта [12]. Учитывая "многопрофильность" пироэлектриков, необходима их защита от нежелательного воздействия радиоактивности, электрических и магнитных полей [13].

Конструктивное выполнение эшелетта 5 с возможностью изменения положения в плоскости отличной от оси его колебания необходимо для нахождения главных максимумов и в качестве диспергирующего элемента. Форма штрихов эшелетт не влияет ни на положение главных максимумов, ни на дисперсию эшелетт, ни на резкость интерференционной картины, так как резкость определяется полным числом штрихов [14].

Вращающаяся призма 4 с зеркальными гранями 13 и колеблющийся эшелетт 5 в жидкой иммерсионной среде 3 будут вызывать нежелательные турбулентные течения нарушающие изотропность оптической среды и изменяющие ее плотность. Поэтому эти компоненты заключены в капсулы (в графических материалах не представлены) из материала пропускающего инфракрасное излучение.

Пироэлектрический кристалл 8 выполнен в виде x-среза кристалла сульфата лития. Предлагаемый в данной конструкции сульфат лития имеет пироэлектрический коэффициент 50, тогда как турмалин — 1,2. Сульфат лития, как и другие пироэлектрические кристаллы, непосредственно преобразует тепловую энергию в электрическую. Нет никаких дополнительных приспособлений, нет электрического поля, нет источников электрической энергии, есть только изменение t° кристалла — нагревание или охлаждение, а на поверхности кристалла появляются электрические заряды.

Полупроводниковый шунт 9 выполнен в виде высокоомного кристаллического кремния для защиты пироэлектрического кристалла 8 от электрического пробоя, когда спонтанная электрическая поляризация создает угрозу самопробоя внутренней электрической емкости кристалла. Уменьшение электрического сопротивления полупроводникового шунта 9 кроме того сужает диапазон детектирования и повышает чувствительность пироэлектрического кристалла [15].

Первая иммерсия 3 выполнена в виде разбавленного раствора йодистого калия. Известно, что соединение KI широко распространено, доступно и имеет очень широкий спектр пропускания оптического излучения [16] в диапазоне которого свободно можно исследовать температурные поля биологических объектов. Так как это соединение существует в природе только в кристаллическом виде, для создания оптимальной оптической среды предложено использовать водный раствор. Спектр пропускания воды в диапазоне длин волн 9...10,5 мкм равен 0,8  Насыщенный раствор KI при понижении температуры может вызвать рост его кристаллов на оптических поверхностях. Поэтому был предложен разбавленный раствор KI. На Рис.4 представлена иллюстрация молекулярного и энергетического взаимодействия водного раствора KI. Консистенция его будет зависеть от неравенства Ehv > EH—OH, т.е. столько требуется затратить энергии для разрыва связи H—OH. Энергия оптического кванта должна быть больше энергии указанной связи. Только при этих условиях иммерсия будет сохранять высокую оптическую прозрачность в требуемом диапазоне длин волн.

Третья иммерсия 1 выполнена из кедрового масла, используемого в длинноволновой области спектра.

Для пояснения особенностей работы ИК-системы выведем основные уравнения, определяющие работу сканирующих систем. Начнем с простого случая, когда все наблюдаемые приемной системой объекты протяженные, т.е. когда угловые размеры объекта много больше мгновенного поля зрения системы.

Предположим, что на расстоянии L от оптической системы с эффективной площадью входного зрачка Ao и фокусным расстоянием F находится протяженный источник излучения ("излучатель"), представляющий собой абсолютно черное тело с температурой Tи. Излучатель наблюдается на фоне, излучение которого представляет собой также излучение абсолютно черного тела, находящегося при температуре Tф. Слой оптической Среды между излучателем и приемной системой, по предположению, не изменяет принимаемое системой излучение источника и фона. Это предположение позволит несколько упростить получаемые выражения, не уклоняясь от поставленной задачи. Влияние атмосферы и коэффициента черноты объекта на наблюдаемую тепловую картину известны (См., например, [17]).

Спектральный поток излучения, собираемый оптической системой и попадающий на приемник излучения представлен в виде

 

(1)

 

а сигнал, снимаемый с приемника

 

(2)

 

где: S(l) — абсолютная вольтова чувствительность приемника, В/Вт; R(l), Tи) — спектральная плотность потока излучения абсолютно черного тела, находящегося при температуре Tи, Вт/см2 × мкм; w — угол мгновенного поля зрения приемной системы.

Отношение сигнал—шум для немонохроматического излучения можно представить в виде

 

(3)

 

Часто вместо абсолютной вольтовой чувствительности S(l) используют приведенную обнаружительную способность

 

(4)

 

где: a2 — площадь чувствительного элемента фотоприемника, для простоты предполагаем его квадратным со стороной a; Df — ширина полосы пропускания электронного тракта усиления сигнала и шума.

В этом случае выражение для отношения сигнал—шум принимает вид

(5)

 

Известны методы определения оптимальной ширины полосы пропускания электронного тракта оптико-электронных приборов (см., например, [18]). Оптимальная величина Df зависит от назначения приемной системы, а также спектральных характеристик сигнала и шума. Учитывая, что угол мгновенного поля зрения равен угловому размеру чувствительного элемента приемника излучения

 

w = a2/F2,

(6)

 

получаем, что разностный сигнал, определяющий контраст теплового изображения излучателя с температурой Tи на фоне с температурой Tф выглядит в виде

 

(7)

 

В зависимости от соотношения между температурами Tи и Tф контрастный сигнал DU может быть положительным или отрицательным. При малых температурных контрастах DT = Tи—Tф<<Tи, Tф, R(l), Tи)—R(l), Tф) разность в подынтегральном выражении может быть заменена дифференциальной разностью

 

(8)

 

и выражение (7) примет вид

 

(9)

 

где D*(l) = D*max(l) s(l); s(l) — относительная спектральная характеристика приемника излучения.

Время tэ, приходящееся на один элемент разложения определяется длительностью кадра tк и соотношением между величинами углов мгновенного поля зрения w и полного поля обзора W:

 

(10)

 

где M — число рядов в многоэлементной матрице приемника излучения, включенных параллельно (в общем случае число M должно быть заменено полным числом элементов в многоэлементной матрице n, где, n = M×N, где, N — число столбцов в матрице.); e — коэффициент использования развертки.

Таким образом, контрастный сигнал

(11)

При разработке приемной системы исходя из ее назначения обычно задаются значениями длительности кадра tк, полного поля обзора W и мгновенного угла зрения w, а также контрастной температуры объекта DT по отношению к температуре фона Tф. Для обеспечения заданного отношения сигнал—шум можно варьировать только величинами Ao, F, e, D*(l) и M.

Одним из основных условий, которое должно выполняться в правильно сконструированной приемной системе, является преобладание шумов приемного элемента над шумами последующей электронной системы считывания и усиления сигнала. При выводе уравнения (21) предполагалось, что это условие выполняется.

Ширина полосы Df, в которой происходит накопление шумов определяется длительностью сигнального импульса. Поэтому, при заданных исходных данных в виде времени кадра tк и уровня шума предварительного усилителя максимально допустимое число элементов n в условной матрице устанавливается автоматически [19].

При постоянной температуре To, когда мощность прерываемого потока излучения W(t)=0, система кристалл—электроды в целом электронейтральны, т.е. ток в цепи будет отсутствовать.

Если на чувствительный элемент падает поток излучения W(t), то под его действием он нагревается и его спонтанная поляризация уменьшается. При этом на электродах пироэлектрического кристалла освобождаются заряды и через сопротивление шунта Rн начнет течь ток I. Если длительность облучения значительно больше, чем время установления средней температуры пироэлектрического кристалла и постоянной заряда CкрRн (Cкр — емкость пироэлектрического кристалла), то в какой-то момент времени t2 ток I станет близким нулю:

 

(12)

 

где       Ao — величина приемной площадки;

 —  пироэлектрический коэффициент.

Если тепловой поток, падающий на пироэлектрический кристалл, прекратить, то на его электродах в процессе остывания, также как и при нагревании освобождаются заряды и через шунт Rн опять протекает ток I. При достижении исходной температуры, ток I снова станет близким к нулю.

Когда падающий на пироэлектрический кристалл поток излучения изменяется по закону

 

W = W0A0(1 + e i×w×t ),

(13)

 

где Wo — амплитуда плотности потока излучения; w — угловая частота; i=Ö—1; t — время, тогда уравнение теплового баланса примет вид

 

(14)

 

где c — теплоемкость пироэлектрического кристалла; G — суммарный коэффициент теплопотерь; q — средний прирост температуры пироэлектрического кристалла; e1 — поглотительная способность приемной площадки пироэлектрического кристалла.

Решение уравнения запишем в виде:

 

(15)

 

подставляя (15) в (12), получим:

 

(16)

 

При использовании в качестве приемника излучения пироэлектрического кристалла — плоско-параллельной пластинки с площадью Ao и толщиной d, можно получить плотность тока в кристалле в направлении совпадающем с вектором поляризации, для однородного и монодоменного кристалла, направленном вдоль оси X совпадающим с одной из главных осей тензора электропроводности и диэлектрической восприимчивости

 

(17)

 

где jx = sxэ × Ex — плотность тока проводимости; sxэ — электропроводность.

Проинтегрировав выражение (16) по объему кристалла

 

(18)

 

где Pc — среднее значение спонтанной поляризации кристалла, в результате получим:

(19)

 

Напряжение в пироэлектрическом кристалле получим из формулы (16):

 

(20)

 

где Co=Cкр+Cвх; Cвх— входная емкость схемы; Ro-1=Rн-1+Rкр-1+Rвх-1; Rвх — входное сопротивление схемы.

Пироэлектрические приемники являются термочувствительными генераторами тока в отличие от термопар и болометров. Пироэлектрические приемники излучения особенно отличаются быстродействием и их нечувствительностью к постоянным тепловым воздействиям.

Температурное воздействие на пироэлектрический кристалл осуществляется за счет падающего на него теплового излучения W(t).

Сульфат лития, как и другие пироэлектрические кристаллы, непосредственно преобразует тепловую энергию в электрическую. Нет никаких дополнительных приспособлений, нет электрического поля, нет источников электрической энергии, есть только изменение t° кристалла — нагревание или охлаждение, а на поверхности кристалла появляются электрические заряды.

При компьютерной обработке полученного сигнала предлагается использовать несколько методов и алгоритмов обработки, которые направлены на улучшение качества и повышения информативности, которые рекомендовано использовать в цифровой рентгенологии [20], [21].

 

In the given article the problem of reception of precise borders of the distributed temperature fields of researched objects is considered, the structure of scanning system and mathematical model describing the functioning of the given system are given.

 

1.                  Гусев А.Н., Сигал В.Л., Осинский С.П. Теплофизические модели гипертермии опухолей / Отв. ред. Пинчук В.Г.; АН УССР. Ин-т прблем онкологии им. Р.Е.Кавецкого. — Киев: Наук. думка, 1989. — 176 с.

2.                  Федотов Я. Тепловидение//Радио. — 1996. — № 6. — С. 6-7.

3.                  Кариженский Е.Я., Мирошников М.М. Сканирующие системы для тепловизоров — "Оптико-механическая промышленность", 1970, N 10.

4.                  Прикладная оптика: Учеб. Пособие для приборостроительных специальностей вузов/ Л.Г.Бебчук, Ю.В.Богачев, Н.П.Заказнов и др.; Под общ. ред. Н.П.Заказнова. — М.: Машиностроение, 1988. — С. 275—277.

5.                  Genéve R. Introduction á la thermographic medical. — "Acta Electronica", 1969, Vol. 12, N 1.

6.                  Л.З.Криксунов. Справочник по основам инфракрасной техники. — М.: Сов. Радио, 1978. — С. 217—218.

7.                  Л.П.Лазарев. Инфракрасные и световые приборы самонаведения и наведения летательных аппаратов. — М.: Машиностроение, 1966. — С. 238—241.

8.                  Пилипенко Н.В., Цивильский Ф.Н., Дощенко Г.Г. Система управления доступом и аутентификации по антропологическим характеристикам персонала // Вестник ХГТУ. — 2002. — №3(16). — С. 242—245.

9.                  Патент РФ на изобретение "Оптическое устройство тепловизионной сканирующей системы" № RU 2239215 C2, МПК-7 – G 02 B 26/12. Авторы: Пилипенко Н.В., Цивильский Ф.Н., Дощенко Г.Г. Опубл. 27.10.2004. Бюл. №30.

10.              Пилипенко Н.В., Цивильский Ф.Н., Дощенко Г.Г. Иммерсионные компоненты тепловизионных сканирующих систем // Матеріали Міжнародної науково-практичної конференції "Динаміка наукових досліджень". Том 6. Медицина та охорона здоров'я. — Дніпропетровськ: Наука і освіта, 2002. — С. 45—46.

11.              М.П.Шаскольская. Очерки о свойствах кристаллов. — М.: Наука, 1978. — С. 108—109.

12.              П.В.Павлов, А.Ф.Хохлов. Физика твердого тела. — М.: Высшая школа, 1985. — С. 297—298.

13.              Л.П.Хорошун, Б.П.Маслов, П.В.Лещенко. Прогнозирование эффективных свойств пьезоактивных композитных материалов. — К.: Наукова думка, 1989. — С. 14—19.

14.              Бутиков Е.И. Оптика: Учеб. пособие для вузов/ Под ред. Н.И.Калитеевского. — М.: Высш. шк., 1986. — С. 308—309.

15.              Л.С.Кременчугский, О.В.Ройцина. Пироэлектрические приемники излучения. — К.: Наукова думка, 1979. — С. 52—59.

16.              А.А.Поскачей, Е.П.Чубаров. Оптико-электронные системы измерения температуры. — М.: Энергия, 1979. — С. 16—20, Рис. 2-1.

17.              Ллойд Дж. Системы тепловидения. — М.: Мир, 1978, — 414 с.

18.              Якушенков Ю.Г. Теория и расчет оптико-электронных приборов. — М.: Советское радио, 1980, — 390 с.

19.              Приемные устройства ИК—систем/ П.А.Богомолов, В.И.Сидоров, И.Ф.Усольцев; Под ред. В.И.Сидорова. — М.: Радио и связь, 1987. — С. 22—25.

20.              Абакумов В.Г., Рибін О.И., Сватош Й., Синєкоп Ю.П. Системи відображення в медицині. — К.: ТОО "Век+", 1999. — 306 с.

21.              Пилипенко Н.В., Безрукавый А.С., Дощенко Г.Г., Соколова Н.А., Цивильский Ф.Н., Кошевой А.А. Программный метод колорографического анализа рентгенограмм // Матеріали VI Міжнародної науково-практичної конференції "Наука і освіта '2003". Том 30. — Дніпропетровськ: Наука і освіта, 2003. — С. 32—34.

 





Ответы на вопросы [_Задать вопроос_]

Информационно-измерительные системы

Ковальов О.І. Вимірювання у процесно-орієнтованих стандартах

Полякова М.В., Ищенко А.В., Худайбердин Э.И. Порогово-пространственная сегментация цветных текстурированных изображений на основе метода JSEG

Дзюбаненко А. В. Организация компьютерных систем для анализа изображений

Гордеев Б.Н., Зивенко А.В., Наконечный А.Г. Формирование зондирующих импульсов для полиметрических измерительных систем

Богданов А.В., Бень А.П., Хойна С.И. Релаксация обратного тока диодов Шоттки после их магнитно-импульсной обработки (МИО)

Тверезовский В.С., Бараненко Р.В. Проектирование измерителя добротности варикапов

Тверезовский В.С., Бараненко Р.В. Оптимизированная модель измерителя доб-ротности варикапов

Руднєва М.С., Кочеткова О.В., Задорожній Р.О. Принципи побудови оптимальної структури інформаційно-вимірювальної системи геометричних розмірів об’єктів в діапазоні від 1 нм до 1000 нм

Биленко М.С., Рожков С.А., Единович М.Б. Идентификация деформаций пе-риодических структур с использованием систем технического зрения

Рашкевич Ю.М., Ковальчук А.М., Пелешко Д.Д. Афінні перетворення в модифікаціях алгоритму RSA шифрування зображень

Дидык А.А., Фефелов А.А, Литвиненко В.И., Шкурдода С.В., Синяков Ф. В. Классификация масс-спектров с помощью кооперативного иммунного алгоритма

Клименко А.K. Обратная модель для решения задач в системах с многосвязными динамическими объектами

Завгородній А.Б. Порівняльне дослідження твердотільних і рідиннофазних об'єктів методом газорозрядної візуалізації

Голощапов С.С., Петровский А.В., Рожко Ж.А., Боярчук А.И. Измерение доб-ротности колебательного контура на основе метода биения частот

Кириллов О.Л., Якимчук Г.С. Диагностирование критерия безопасности при заполнении замкнутых объемов СПЖ косвенным методом

Долина В.Г. Проблеми підвищення точності рефрактометра на основі прозорих порожнистих циліндрів.

Самков О.В., Захарченко Ю.А. Застосування алгоритму клонального відбору для побудови планів модернізації авіаційної техніки

Попов Д.В. Метод формування регламентів технічного обслуговування повітряних суден

Казак В.М., Чорний Г.П., Чорний Т.Г. Оцінювання готовності технічних об’єктів з урахуванням достовірності їх контролю

Тверезовский В.С., Бараненко Р.В. Технические аспекты проектирования цифрового измерителя добротности варикапов

Тверезовский В.С., Бараненко Р.В. Технические аспекты проектирования устройства для разбраковки варикапов по емкостным параметрaм и добротности

Сосюк А.В. Інтелектуальний автоматизований контроль знань в системах дистанційного навчання

Соколов А.Є. Деякі аспекти систезу комп’ютеризованої адаптивної системи навчання

Полякова М.В., Волкова Н.П., Іванова О.В. Сегментація зображень стохастичних текстур амплітудно-детекторним методом у просторі вейвлет-перетворення

Луцкий М.Г., Пономаренко А.В., Филоненко С.Ф. Обработка сигналов акустической эмиссии при определении положения сквозных дефектов

Литвиненко В.И., Дидык А.А., Захарченко Ю.А. Компьютерная система для решения задач классификации на основе модифицированных иммунных алгоритмов

Лубяный В.З., Голощапов С.С. Прямоотсчетные измерители расхождений емкостей

Беляев А.В. Построение навигации для иерархических структур в WEB-системах и системах управления WEB-сайтом

Терновая Т.И., Сумская О.П., Слободянюк И.И., Булка Т.И. Контроль качества тканей специального назначения с помощью автоматических систем.

Шеховцов А.В. Інформаційний аспект: розпізнавання образів індивідуума.

Полякова М.В. Определение границ сегмента упорядоченной текстуры на изображении с однородным фоном с помощью многоканального обнаружения пачки импульсов.

Литвиненко В.И. Прогнозирования нестационарных временных рядов с помощью синтезируемых нечетких нейронных сетей

Ковриго Ю.М., Мисак В.Ф., Мовчан А.П., Любицький С.В. Автоматизована система діагностики генераторів електростанцій

Браїловський В.В., Іванчук М.М., Ватаманюк П.П., Танасюк В.С. Керований детектор імпульсного ЯКР спектрометра

Забытовская О.И. Построение функции полезности по экспериментальным данным.

Шиманські З. Апаратні засоби сегментації мовного сигналу

Хобин В.А., Титлова О.А. К вопросу измерения парожидкостного фронта в дефлегматоре абсорбционно-диффузионной холодильной машины (АДХМ)

Фефелов А. А. Использование байесовских сетей для решения задачи поиска места и типа отказа сложной технической системы

Слань Ю. М., Трегуб В. Г. Оперативна нейромережна ідентифікація складних об’єктів керування

Ролик А.И. Модель управления перераспределением ресурсов информационно-телекоммуникационной системы при изменении значимости бизнес-процессов

Кириллов О.Л., Якимчук Г.С., Якимчук С.Г. Изучение электрического поля с помощью датчика измерителя электростатического потенциала на модели замкнутого металлического объема

Грицик В.В. Застосування штучних нейронних мереж при проектуванні комп’ютерного зору.

Гасанов А.С. Информационные технологии построения систем прогнозирования отказов

Шеховцов А.В., Везумский А.К., Середа Е.С. Алгоритм сжатия информации без потерь: модифицированный алгоритм LZ77

Ходаков В.Е., Жарикова М.В., Ляшенко Е.Н. Методы и алгоритмы визуализации пространственных данных на примере моделирования распространения лесных пожаров.

Полякова М.В., Крылов В.Н. Обобщённые масштабные функции с компактным носителем в задаче сегментации изображений упорядоченных текстур. – C. 75 – 84.

Полторак В.П., Дорогой Я.Ю. Система распознавания образов на базе нечеткого нейронного классификатора.

Литвиненко В.И. Синтез радиально-базисных сетей для решения задачи дистанционного определения концентрации хлорофилла.

Бражник Д.А. Управление совмещением изображения объекта в сцене и эталонного изображения.

Бабак В.П., Пономаренко А.В. Локализация места положения сквозных дефектов по сигналам акустической эмиссии.

Мороз В. В. R-D проблема и эффективность систем сжатия изображений.

Крылов В.Н., Полякова М.В., Волкова Н.П. Контурная сегментация в пространстве гиперболического вейвлет-преобразования с использованием математической морфологии.

Квасников В.П., Баранов А.Г. Анализ влияния дестабилизирующих факторов на работу биканальной координатно-измерительной машины.

Казак В.М., Гальченко С.М., Завгородній С.О. Аналіз можливості застосування імовірнісних методів розпізнавання для виявлення пошкоджень зовнішнього обводу літака.

Тищенко И.А., Лубяный В.З. Управление коммутационными процессами в интегрированных сетях связи.

Корниенко-Мифтахова И.К.,Филоненко С.Ф. Информационно-измерительная система для анализа характеристик динамического поведения конструкций.

Тверезовский В.С., Бараненко Р.В. Модель измерителя емкости с линейной шкалой измерений.

Полякова М.В., Крылов В.Н. Мультифрактальный метод автоматизированного распознавания помех на изображении.

Рожков С.О., Федотова О.М. Алгоритм розпізнавання дефектів тканин для автоматичної системи контролю якості.

Бражник Д.А. Использование проективного преобразования для автоматизации обнаружения объектов.